盖世汽车讯 据外媒报道，英飞凌公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™技术，提高既定芯片面积的导通电阻。作为领先的碳化硅（SiC）芯片，这款CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H适用于一系列产品组合，将采用流行的Easy系列模块，以及使用.XT互连技术的离散封装。M1H芯片具有高度灵活性，适用于需要满足峰值需求的太阳能系统，如逆变器。该芯片也适用于电动汽车快速充电、储能系统和其他工业应用。
（图片来源：英飞凌）
CoolSiC基技术的最新进展，使栅极运行窗口明显增大，从而提升既定芯片面积的导通电阻。与此同时，更大的栅极运行窗口，针对与栅极驱动器和布局相关的电压峰值，提供高度稳健性，即使在更高的开关频率下也没有限制。除了M1H芯片技术，相关外壳还可用于技术和封装变体，以实现更高的功率密度，并为设计工程师提供更多选择，以提高应用性能。
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