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英飞凌推出1200 V SIC MOSFET 充分提高系统效率和可靠性

盖世汽车 Elisha 2022-04-18 17:51:36
核心提示:作为领先的碳化硅(SiC)芯片,这款CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H适用于一系列产品组合,将采用流行的Easy系列模块,以及使用.XT互连技术的离散封装。

盖世汽车讯  据外媒报道,英飞凌公司(Infineon Technologies AG)推出全新CoolSiC™技术,提高既定芯片面积的导通电阻。作为领先的碳化硅(SiC)芯片,这款CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H适用于一系列产品组合,将采用流行的Easy系列模块,以及使用.XT互连技术的离散封装。M1H芯片具有高度灵活性,适用于需要满足峰值需求的太阳能系统,如逆变器。该芯片也适用于电动汽车快速充电、储能系统和其他工业应用。

英飞凌推出1200 V SIC MOSFET  充分提高系统效率和可靠性

(图片来源:英飞凌)

CoolSiC基技术的最新进展,使栅极运行窗口明显增大,从而提升既定芯片面积的导通电阻。与此同时,更大的栅极运行窗口,针对与栅极驱动器和布局相关的电压峰值,提供高度稳健性,即使在更高的开关频率下也没有限制。除了M1H芯片技术,相关外壳还可用于技术和封装变体,以实现更高的功率密度,并为设计工程师提供更多选择,以提高应用性能。



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本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202204/18I70298072C501.shtml

文章标签: 英飞凌
 
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