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英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列 可实现更高的效率和功率密度

盖世汽车 Elisha 2023-11-24 09:48:38
核心提示：该经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术打造。

盖世汽车讯 据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies）宣布扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列，采用新的行业标准封装。该款经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术打造。该封装使SiC适合250 kW以上的中功率应用，其中通过IGBT技术可使硅达到功率密度极限。与62mm IGBT模块相比，新系列模块还可应用于太阳能、服务器、储能、电动汽车充电器、机车、商用感应烹饪和电源转换系统等领域。

英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列 可实现更高的效率和功率密度

（图片来源：英飞凌）



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