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英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列可实现更高的效率和功率密度

盖世汽车 Elisha 2023-11-24 09:48:38

核心提示：该经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术打造。

盖世汽车讯据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies）宣布扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列，采用新的行业标准封装。该款经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）MOSFET技术打造。该封装使SiC适合250 kW以上的中功率应用，其中通过IGBT技术可使硅达到功率密度极限。与62mm IGBT模块相比，新系列模块还可应用于太阳能、服务器、储能、电动汽车充电器、机车、商用感应烹饪和电源转换系统等领域。

英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列可实现更高的效率和功率密度

（图片来源：英飞凌）

M1H技术可实现明显更宽的栅极电压窗口，确保对驱动器和布局引起的栅极电压尖峰具有高鲁棒性，即使在高开关频率下也不受任何限制。此外，开关和传输损耗极低，可充分减少冷却要求。结合高反向电压，这些器件可以满足现代系统设计的多种要求。通过使用英飞凌的CoolSiC芯片技术，用户可以提高转换器设计的效率，提高各逆变器的标称功率，并降低系统成本。

该封装采用底板和螺钉连接，具有非常坚固的优化机械设计，可充分提高系统可用性，并最大限度降低服务成本和待机损耗。凭借高热循环能力，新封装在150°C连续工作温度（T vjop）下可实现卓越的可靠性。该对称的内部封装设计为上下开关提供了相同的开关条件。另外，英飞凌还提供预涂覆热界面材料（TIM）以进一步增强模块的热性能。

这些CoolSiC 62mm封装MOSFET提供1200 V的产品组合，包括5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A型号，而2000 V产品组合将包括4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A型号。该系列产品组合将于2024年第一季度完工上市，届时将提供1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号。

评估板（evaluation board）可用于快速表征模块（双脉冲/连续操作）。为了方便使用，它可以灵活调节栅极电压和栅极电阻，同时可作为量产驱动板的参考设计。