英飞凌宣布扩展CoolMOS™ S7系列高压超级结MOSFET 可用于车载充电器

盖世汽车讯 在静态开关应用中，电源设计的重点是最大限度地减少传导损耗、优化热行为以及实现紧凑和轻量化的系统，同时确保以低成本实现高质量。7月21日，为了满足下一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣布扩展其CoolMOS™ S7系列高压超级结（SJ）MOSFET。这些器件主要应用于SMPS、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器，以及PLC、照明控制、HV eFuse/eDisconnect、（H）EV车载充电器。

图片来源：英飞凌

该产品组合扩展包括创新的QDPAK顶部冷却（TSC）封装，体积虽小，但可提供广泛的功能。因此该产品对于低频开关应用非常有利，同时优化成本定位。得益于新颖的高功率QDPAK封装，新产品组合的R DS（on）仅10 mΩ，这是该电压等级市场上最低的，也是SMD封装中最低的R DS（on）。通过最大限度地减少MOSFET的传导损耗，CoolMOS S7/S7A解决方案有助于提高整体效率，并提供一种简单且成本优化的方法来提高系统性能。

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CoolMOS S7电源开关还可以通过改善热阻来有效管理散热。得益于创新且高效的QDPAK封装，新电源开关还减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而实现更紧凑、更轻的系统。这些MOSFET有顶侧和底侧两种型号，并具有高脉冲电流能力，使其能够处理突然的电流浪涌。此外，它们还具有体二极管的稳健性，可确保交流线路换向期间的可靠运行。

由于所需的组件较少，因此可以减少零件数量，从而实现灵活的系统集成、降低BOM成本和总拥有成本（TCO）。此外，这些MOSFET可以缩短反应时间，特别是在分断电流时，从而推动实现更平稳、更高效的操作。