盖世汽车讯 在静态开关应用中,电源设计的重点是最大限度地减少传导损耗、优化热行为以及实现紧凑和轻量化的系统,同时确保以低成本实现高质量。7月21日,为了满足下一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)宣布扩展其CoolMOS™ S7系列高压超级结(SJ)MOSFET。这些器件主要应用于SMPS、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器,以及PLC、照明控制、HV eFuse/eDisconnect、(H)EV车载充电器。
图片来源:英飞凌
该产品组合扩展包括创新的QDPAK顶部冷却(TSC)封装,体积虽小,但可提供广泛的功能。因此该产品对于低频开关应用非常有利,同时优化成本定位。得益于新颖的高功率QDPAK封装,新产品组合的R DS(on)仅10 mΩ,这是该电压等级市场上最低的,也是SMD封装中最低的R DS(on)。通过最大限度地减少MOSFET的传导损耗,CoolMOS S7/S7A解决方案有助于提高整体效率,并提供一种简单且成本优化的方法来提高系统性能。
图片来源:英飞凌
CoolMOS S7电源开关还可以通过改善热阻来有效管理散热。得益于创新且高效的QDPAK封装,新电源开关还减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求,从而实现更紧凑、更轻的系统。这些MOSFET有顶侧和底侧两种型号,并具有高脉冲电流能力,使其能够处理突然的电流浪涌。此外,它们还具有体二极管的稳健性,可确保交流线路换向期间的可靠运行。
由于所需的组件较少,因此可以减少零件数量,从而实现灵活的系统集成、降低BOM成本和总拥有成本(TCO)。此外,这些MOSFET可以缩短反应时间,特别是在分断电流时,从而推动实现更平稳、更高效的操作。
*版权声明:本文为盖世汽车原创文章,如欲转载请遵守 转载说明 相关规定。违反转载说明者,盖世汽车将依法追究其法律责任!
本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202307/25I70352509C101.shtml
联系邮箱:info@gasgoo.com
客服QQ:531068497
求职应聘:021-39197800-8035
新闻热线:021-39586122
商务合作:021-39586681
市场合作:021-39197800-8032
研究院项目咨询:021-39197921
版权所有2011|未经授权禁止复制或建立镜像,否则将追究法律责任。
增值电信业务经营许可证 沪B2-2007118 沪ICP备07023350号