盖世汽车讯 半导体广泛应用于存储芯片和太阳能电池等器件中,其内部可能存在肉眼不可见的缺陷,这些缺陷会干扰电流流动。
据外媒报道,韩国科学技术研究院(KAIST)宣布,由其材料科学与工程系Byungha Shin教授和IBM T. J. Watson研究中心的Oki Gunawan博士领导的联合研究团队开发了一种新的测量技术,可以同时分析半导体内部阻碍电传输的缺陷(电子陷阱)和载流子传输特性。
图片来源: KAIST
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