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研究人员利用氮化镓开发新型电子设备更加节能

盖世汽车 Elisha 2022-09-13 10:21:56

核心提示：这种GaN JBS二极管在天然GaN基层上制备，具有创纪录的高击穿电压（915 V）和低导通电阻。

盖世汽车讯据外媒报道，工程研究人员发明了新型高功率电子设备，比以前的技术更节能。这种装置通过一种以受控方式“掺杂”氮化镓（GaN）的独特技术而实现。

（图片来源：北卡罗来纳州立大学）

北卡罗来纳州立大学（North Carolina State University）的前博士生Dolar Khachariya表示：“许多技术都需要进行电能转换，将电能从一种形式转换为另一种形式。例如，这项技术可能需要将交流电转换为直流电，或者将电能转换为功，就像电动机一样。在各类电力转换系统中，大部分电力损失发生在电源开关上，这是构成电力转换系统电路的有源部件。

“开发更高效的电力电子产品，比如电源开关，可以减少转换过程中的电力损耗。对于开发支持更可持续电力基础设施的技术，比如智能电网，具有重要意义。”

北卡罗来纳州立大学材料科学与工程学副教授Ramón Collazo表示：“这项工作不仅可以减少电力电子设备中的能量损耗，而且可以使电力转换系统比传统的硅和碳化硅电子设备更加紧凑。因此，这些系统可能整合到目前不适用（因重量或大小而受限）的技术中，例如汽车、船舶、飞机或整个智能电网中的分布技术。”

在2021年发表的论文中，研究人员概述了一种利用离子注入和激活在GaN材料目标区域中进行掺杂的技术。换句话说，将杂质引入GaN材料的特定区域，有选择性地仅在这些区域修改GaN的电学特性。

在新论文中，研究人员演示了如何利用这种技术来制造实际的设备。具体来说，研究人员使用选择性掺杂的GaN材料，制造结势垒肖特基（JBS）二极管。

Collazo表示：“在各类电力系统中，JBS二极管等电力整流器可用作开关。然而，以往这些部件由半导体硅或碳化硅制成，因为未掺杂GaN材料的电学性质与JBS二极管的架构不兼容，无法起作用。研究人员已经证明，可以通过选择性掺杂GaN来制造功能性JBS二极管。这些二极管不仅具有功能性，而且提高了功率转换的效率，超过传统半导体的JBS二极管。例如，这种GaN JBS二极管在天然GaN基层上制备，具有创纪录的高击穿电压（915 V）和低导通电阻。”

目前，研究人员致力于与行业伙伴合作，以扩大选择性掺杂GaN的生产规模，并将寻找更多的合作伙伴，以解决更广泛的制造问题，以及采用这种材料的电力设备的相关问题。

本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202209/13I70313918C501.shtml

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