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研究人员利用ESOI分析 展示SiC在电动汽车中的能效优势

盖世汽车 Elisha 2021-11-04 11:00:03
核心提示:这项研究估计,对于预计使用寿命超过 20万英里的个人电动汽车,将硅IGBT替换为碳化硅MOSFET所节省的能源,比生产这些碳化硅器件所需的增量能量要大很多倍。

盖世汽车讯 据外媒报道,生物物理经济研究所(BPEI)与Hedgerow Analysis咨询公司达成合作,以代表碳化硅技术领军企业Wolfspeed,评估碳化硅芯片在电动汽车应用中的实施情况。BPEI是一家致力于将自然科学纳入经济分析和决策的非营利性组织,旨在将能源效率分析纳入不同策略评估中,以减少对化石燃料的依赖。

研究人员利用ESOI分析 展示SiC在电动汽车中的能效优势

 (图片来源:BPEI)

具体来说,该研究评估比较碳化硅(SiC)金属有机半导体场效应晶体管(MOSFET)与硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)的净能量回报(net energy return)。BPEI表示,SiC微芯片是能源效率测试的重要案例。与传统芯片相比,将两种晶体结构结合至一种化合物中,可以产生独特的性能。而SiC有望在一众潜在应用中提高能源效率。然而,生产SiC芯片的能耗比硅芯片大,这就留下了一个问题,即从长远来看,哪一种技术能提高能源效率。



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本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202111/4I70278910C501.shtml

文章标签: 电动汽车
 
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