日本研发制造高质量氮化镓晶体的新方法 可用于下一代功率半导体设备

盖世汽车讯 氮化镓（GaN）晶体是一种很有发展前景的材料，可用于研发下一代功率半导体设备。据外媒报道，日本国家材料科学研究所（NIMS）与东京工业大学（Tokyo Tech）研发了一种生长高质量GaN晶体的技术，与现有技术生长的GaN晶体相比，新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同，新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底，以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。

用于下一代功率半导体设备中，以用于车辆和其他用途。不过，传统的GaN单晶体生长技术会将气态原材料喷到基底上，导致了一个主要的缺点：会在晶体内部形成很多原子大小的缺陷（包括位错）。当有位错缺陷的GaN晶体被集成至功率设备中时，会有泄漏的电流穿过该设备，从而损坏设备。