盖世汽车讯 据外媒报道，美格纳半导体公司（Magnachip Semiconductor）宣布推出四款新型40V MXT MV MOSFET，采用Power Dual Flat No-Lead（PDFN）33封装，适用于汽车应用。
图片来源：Magnachip
随着自动驾驶和信息娱乐系统等汽车技术的进步，安装在车辆上的电机数量和种类不断增加。因此，高性能MOSFET需要具有低功耗、小尺寸和轻量化结构，能够高效驱动这些电机，其重要性日益凸显。
Magnachip新推出的40V MXT MV MOSFET采用PDFN33封装，与采用PDFN56封装的40V MOSFET产品相比，面积减少了60%以上，重量减少了约75%，因此更适合汽车电机和低功耗控制系统，因为性能、燃油效率和空间灵活性对于这些系统至关重要。
在这些新产品中，AMDV040N029LVRH、AMDV040N036LVRH和AMDV040N042LVRH三种型号的特点是栅极阈值电压低至1.8V。栅极阈值电压决定了MOSFET从关断状态切换到导通状态的点。较低的阈值电压可降低操作MOSFET所需的能量，从而降低系统的整体功耗。
四款新型汽车40V MXT MV MOSFET的主要规格如下：
Magnachip的新型汽车40V MXT MV MOSFET
图片来源：Magnachip
“随着这些新产品的推出，Magnachip进一步加强了其汽车电源产品阵容，旨在满足汽车零部件行业的多样化需求，”Magnachip首席执行官YJ Kim表示。“我们将继续通过技术创新和稳定的产品供应，扩大我们在这个不断发展的市场的全球影响力。”
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