盖世汽车讯 9月23日东芝推出业内首款2200V双碳化硅MOSFET模块MG250YD2YMS3，该模块可简化逆变器设计并提高其功率密度，从而减小模块体积及重量。
图片源于东芝官网
传统三电平逆变器（three-level inverter）开关损耗较低，这是因为开关电器的开路电压（off-state voltage）为线电压（line voltage）的一半。而相较于三电平逆变器，两电平逆变器（two-level inverter）模块数量较少，有助于设备小型化。但是，由于外加电压（applied voltage）与线电压一致，因此两电平逆变器需要具有更高击穿电压（breakdown voltage）的半导体器件。解决上述适配问题至关重要，因为相较于传统三电平硅（Si）IGBT逆变器，基于新器件的两电平逆变器已实现更高的工作频率及更低的功率损耗。
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