盖世汽车讯 1月10日，新加坡科学、技术和研究机构（A*STAR）的微电子研究所（IME）和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅（SiC）半导体器件，为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术，如Smart Cut™和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。
*特别声明：本文为技术类文章，禁止转载或大篇幅摘录！违规转载，法律必究。
本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202201/11I70288129C409.shtml
联系邮箱：info@gasgoo.com
客服QQ：531068497
求职应聘：021-39197800-8035
新闻热线：021-39586122
商务合作：021-39586681
市场合作：021-39197800-8032
研究院项目咨询：021-39197921
版权所有2011|未经授权禁止复制或建立镜像，否则将追究法律责任。
增值电信业务经营许可证 沪B2-2007118 沪ICP备07023350号
—— 全球视野·中国声音 ——
