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研究团队研发出CMOS兼容的3D铁电存储器 功耗低且速度快

盖世汽车 刘丽婷 2021-01-25 12:03:18

盖世汽车讯 据外媒报道,随着超智能和超互联的第四次工业革命的到来,存储器的密度和性能变得愈加重要。目前最广泛使用的存储器是NAND闪存,其存储信息采用的是电荷捕获技术,因此存在功耗高、运行速度慢及重复写入/擦除数据极易导致损坏的问题。为此,浦项科技大学(POSTECH)研究团队最近研发出一种铁电存储器,其运行速度、功耗和设备可靠性等性能均远超传统闪存。

研究团队研发出CMOS兼容的3D铁电存储器 功耗低且速度快

(图片来源: POSTECH )

由POSTECH材料科学与工程系Jang-Sik Lee教授、博士候选人Min-Kyu Kim和Ik-Jyae Kim领导的研究团队展示了一种特别方式,通过应用基于二氧化铪的铁电体和氧化物半导体制作铁电存储器,其存储性能远超传统闪存和以前的钙钛矿铁电存储器。器件仿真结果表明,该方法可实现超高密度3D存储器集成。



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文章标签: 前瞻技术
 
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