安森美半导体发布超低温电源封装技术

盖世汽车讯 12月4日，安森美半导体（onsemi）宣布推出采用业界标准T2PAK顶部散热封装的EliteSiC MOSFET，进一步提升了汽车和工业应用领域的功率封装技术。这款新产品为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统等市场中严苛的高功率、高电压应用提供了更优异的散热性能、可靠性和设计灵活性。

图片来源： 安森美

安森美半导体最新推出的650V和950V EliteSiC MOSFET产品组合采用T2PAK封装，融合了公司业界领先的碳化硅技术和创新的顶部散热封装技术。首批产品已交付给主要客户，更多产品计划于2025年第四季度及以后陆续上市。通过在EliteSiC系列产品中引入T2PAK封装，安森美半导体为寻求在高电压应用中实现高效、紧凑和耐用的汽车和工业客户提供了一个强大的全新选择。

随着太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业电源等应用领域功率需求的不断增长，高效的热管理已成为一项关键的工程挑战。传统的封装方式常常迫使设计人员在热效率和开关性能之间做出取舍。EliteSiC T2PAK解决方案通过高效地将印刷电路板（PCB）的热量直接传递到系统的冷却系统中，解决了这一难题，从而在不影响性能的前提下实现了卓越的性能。其优势包括：

• 卓越的热效率和更低的运行温度

• 更低的组件应力，延长系统寿命

• 更高的功率密度和更紧凑的系统设计

• 简化的系统设计，加快产品上市速度

“热管理是当今汽车和工业市场电源系统设计人员面临的最关键挑战之一。他们正在寻求能够兼顾效率和可靠性的解决方案。凭借我们的EliteSiC技术和创新T2PAK顶部冷却封装，客户可以获得卓越的散热性能和设计灵活性，从而打造在当今竞争激烈的市场环境中脱颖而出的下一代产品。”安森美半导体副总裁兼SiC事业部负责人Auggie Djekic表示。

T2PAK顶部冷却封装通过MOSFET与应用散热器之间的直接热耦合，实现了散热和开关性能的最佳平衡。这种设计最大限度地降低了结到散热器的热阻，并支持多种导通电阻（Rds(on)）选项（12mΩ至60mΩ），从而增强了设计灵活性。主要技术亮点包括：

• 通过将热量直接导入系统散热器，绕过PCB散热限制，实现卓越的散热性能。

• 保持低杂散电感，从而实现更快的开关速度和更低的能量损耗。

• 兼具TO-247和D2PAK封装的优点，且无明显缺点。

凭借EliteSiC在T2PAK顶部散热封装中优异的性能指标，设计人员可以实现更紧凑、更低温、更高效的系统。