盖世汽车讯 据外媒报道，模拟/混合信号及专用芯片代工厂X-FAB Silicon Foundries SE在其180nm XH018半导体工艺中推出一种新的隔离等级。该新隔离等级旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管（SPAD）实现，可实现更紧密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，从而缩小芯片面积。
图片来源： X-FAB
SPAD是众多新兴应用的关键组件，包括自动驾驶汽车的激光雷达（LiDAR）、3D成像、AR/VR系统中的深度感知、量子通信和生物医学传感。X-FAB已提供多款基于其180nm XH018平台构建的SPAD器件，有效面积范围为10µm至20µm。其中包括一款针对近红外优化的二极管，可提高光子探测概率（PDP）性能。
*特别声明：本文为技术类文章，禁止转载或大篇幅摘录！违规转载，法律必究。
本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202506/25I70427768C409.shtml
联系邮箱：info@gasgoo.com
求职应聘：021-39197800-8035
简历投递：zhaopin@gasgoo.com
客服微信：gasgoo12 (豆豆)
新闻热线：021-39586122
商务合作：021-39586681
市场合作：021-39197800-8032
研究院项目咨询：021-39197921
—— 全球视野·中国声音 ——
