盖世汽车讯 据外媒报道，意法半导体（STMicroelectronics）推出一款符合ASIL D安全等级的1200V隔离栅极驱动器，适用于SiC MOSFET和IGBT。
图片来源：意法半导体
STGAP4S可通过可编程保护功能控制不同额定功率的逆变器，并带有诊断功能，集成模数转换器（ADC）和反激式控制器，符合ISO 26262 ASIL D安全等级。
其输出电路灵活性源于其允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲器，以调整栅极电流能力。该驱动器采用极小的MOSFET，即可产生高达数十安培的栅极驱动电流，最高工作电压可达1200V。
高端驱动器面向汽车应用
其诊断功能包括自检，用于验证连接完整性、栅极驱动电压以及内部电路（例如去饱和和过流检测）的正常运行。主机系统可以通过IC的SPI端口读取诊断状态寄存器。此外，两个诊断引脚提供硬件可检测的故障状态指示。
STGAP4S具备多种保护功能，包括有源米勒钳位、欠压和过压锁定（UVLO、OVLO）以及去饱和、过流和过温检测，可实现坚固耐用的设计，满足严格的可靠性要求。该器件具有可配置参数，包括保护阈值、死区时间和抗尖峰脉冲滤波，可通过SPI进行编程，从而提供广泛的设计灵活性。
STGAP4S还集成了全保护反激式控制器。该控制器可选用于生成正负栅极驱动信号的高压部分电源，以实现SiC MOSFET的快速高效开关。电流隔离层在低侧电路和高侧部分之间提供6.4kV的隔离。
EVALSTGAP4S评估板包含两个STGAP4S驱动器，可帮助用户在半桥应用中全面评估其功能。该设计允许用户轻松连接更多评估板，以评估更复杂的拓扑结构，例如三相逆变器。
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