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高达1800V！OKI开发构建垂直氮化镓晶体管的技术

盖世汽车 Elisha 2023-11-18 08:42:06
核心提示：该技术凭借OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，可以仅从信越化学的QST基板（最大300mm）上剥离GaN功能层，并将其键合到不同的材料基板上。

盖世汽车讯 据外媒报道，日本冲电气（OKI）开发出可以承受1800V高压的垂直氮化镓（GaN）晶体管的技术。

高达1800V！OKI开发构建垂直氮化镓晶体管的技术

（图片来源：冲电气）



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本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202311/18I70370455C501.shtml

 
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