盖世汽车讯 据外媒报道，新加坡麻省理工学院研究与技术联盟（麻省理工学院在新加坡的研究机构SMART，Singapore-MIT Alliance for Research and Technology）低能电子系统跨学科研究小组的研究人员，与麻省理工学院、新加坡国立大学（National University of Singapore）和南洋理工大学（Nanyang Technological University）的合作者发现了一种新的方法，利用半导体材料中的固有缺陷来产生长波（红、橙、黄）光，其潜在应用包括商业光源和显示器内的直接发光器。与以前使用的方法相比，如使用荧光粉（phosphor）将一种颜色的光转换成另一种颜色，这项技术实现了进一步提升。
（图片来源：smart.mit）
氮化铟镓（InGaN）LED是一种基于第III族元素氮化物的发光二极管（LED），于20多年前（90年代）首次制造问世，此后演变得越来越小，同时越来越强劲、高效和耐用。如今，InGaN LED在众多工业和消费应用案例中随处可见，包括信号、光通信和数据存储；并且在高需求消费应用中发挥重要作用，如固态照明、电视机、笔记本电脑、移动设备、增强现实（AR）和虚拟现实（VR）解决方案等。
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