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UnitedSiC推出九个750V SiC器件 导通电阻最低达6mΩ

盖世汽车 Elisha 2021-09-30 10:00:58
核心提示：碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC公司推出九个750V SiC器件，其中导通电阻可低至6mΩ。

盖世汽车讯 据外媒报道，碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC公司推出九个750V SiC器件，其中导通电阻可低至6mΩ。这些器件为电动汽车的传动系统提供了优势。

UnitedSiC推出九个750V SiC器件 导通电阻最低达6mΩ

（图片来源：unitedsic）

新750V SiC FET系列的额定值为 6、9、11、23、33和44mΩ，并采用TO-247-4L 封装。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更传统的TO-247-3L封装。



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