盖世汽车讯 6月9日，安森美半导体（onsemi）宣布推出其GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率器件产品组合，首批样品包括电压范围从40V到650V的GaNEXUS FET以及GaNEXUS Smart 650V GaN FET。该产品组合非常适合高功耗应用，例如人工智能数据中心供电、48V系统、机器人和工业自动化以及能源基础设施。
图片来源：安森美
GaNEXUS的加入进一步丰富了安森美半导体的智能功率器件产品组合，增强了公司在各种应用、电压范围和性能要求下提供优化功率解决方案的能力。作为安森美半导体更广泛的功率器件产品组合的一部分（与硅和EliteSiC技术并驾齐驱），GaNEXUS为客户提供了更大的灵活性，使其能够在完整的功率传输架构中优化性能、效率、散热性能和系统总成本。
随着人工智能基础设施、电气化、工业自动化和能源系统的发展，对更高效、更紧凑的电源架构的需求不断增长，设计人员在能耗、散热管理和系统尺寸方面面临着日益严峻的挑战。预计到2030年，仅人工智能数据中心就将消耗美国高达9%的电力，而电力和冷却成本将占数据中心总运营成本的40%。
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