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SK Keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺 加速拓展汽车和人工智能功率半导体市场

盖世汽车 李新坤 2026-02-03 10:23:46 前瞻技术

盖世汽车讯 2026年1月28日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布推出第四代200V高压0.18微米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,并将与韩国国内及国外主要客户开展全面产品开发,目标是在年内实现量产。

SK Keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺 加速拓展汽车和人工智能功率半导体市场

图片来源:SK Keyfoundry

随着汽车电动化和人工智能(AI)数据中心的快速发展,市场对高压、高效功率半导体的需求也迅速增长。尤其值得一提的是,汽车电气架构正从12V系统向48V系统过渡,而人工智能服务器和数据中心的工作电压也从380V直流提升至高达800V直流,以最大限度地提高功率效率和密度。在此背景下,能够可靠地承受100V以上高压并实现高效功率控制的工艺技术的重要性前所未有地凸显。



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