三星电子成为全球首家成功量产并出货第六代高带宽内存(HBM4)的企业,全面发力抢占 HBM4 市场先机。
2 月 12 日,三星电子宣布,已成为全球首家量产这款行业最高性能 HBM4 内存并启动出货的企业。经与客户协商,三星将原计划于农历新年假期后启动的 HBM4 量产及出货时间提前了约一周。
自 HBM4 研发初期,三星便以超越电子元件工业联合会(JEDEC,国际半导体标准制定机构) 标准的性能指标为目标推进研发。
据悉,该新品率先采用最先进的1c 级 DRAM 工艺,量产初期便实现稳定良率,且无需重新设计即可达到行业顶尖性能水平。
目前,三星持续收到全球主流显卡厂商及自研芯片客户的 HBM 供应合作请求,未来计划进一步深化与这些合作伙伴的技术合作。
此外,公司预计今年 HBM 产品销量将较 2025 年增长三倍以上,并正提前扩大 HBM4 产能。
三星电子存储器开发部门常务黄相俊强调:“三星 HBM4 摒弃了沿用已验证工艺的传统做法,采用 1c 级 DRAM、4 纳米代工等最先进工艺。凭借工艺竞争力与设计优化,我们预留了充足的性能拓展空间,可及时满足客户对性能提升的需求。”
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