盖世汽车讯 据外媒报道，Diodes公司（Diodes Incorporated）宣布推出符合汽车标准的AP74502Q和AP74502HQ 80V理想二极管控制器，可提供稳健可靠的反接和电压瞬变保护。典型应用包括高级驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制模块、信息娱乐系统、外部照明和USB充电端口。
图片来源： Diodes
该理想二极管控制器具备实现高效快速反极性保护电路所需的所有功能。它们还具备在发生过压和欠压事件时断开负载的功能。凭借80V的耐压能力，它们适用于所有12V和24V电池，包括混合动力汽车和纯电动汽车（EV）的电池，以及新兴的48V系统。
向48V的转变正在为电动汽车的创新铺平道路，从而实现电动涡轮增压和改进的再生制动等功能。更高的电压也有利于先进的信息娱乐系统和电动辅助部件的运行。它还可能催生分区架构，从而实现更高效的配电并减少布线需求。±80V的额定电压对于这些48V系统相关的更严格的过压应力条件尤为重要。
与具有反向电流阻断功能的理想二极管不同，这些器件适用于能量可能返回输入电源的应用。此外，它们还可以配置为浪涌抑制器，以保护过压电源和下游负载免受未抑制的负载突降瞬变的影响。
AP74502Q和AP74502HQ控制器还支持低至3.2V的输入电压，即使在可能导致电池电压大幅下降的严重冷启动条件下也能确保正确可靠的运行。两款器件均具有2.3A的峰值栅极关断灌电流，可在需要时（例如在过压或欠压事件期间）快速关断外部N沟道MOSFET。
当电荷泵启用时，工作静态电流（IQ）为62µA，在禁用模式下为1µA。这最大限度地降低了系统的整体功耗，并将电池耗电量降至最低。
AP74502Q的峰值栅极源电流典型值为60μA，可提供平稳启动和固有的浪涌电流控制。这在限制初始电流浪涌至关重要的应用中非常有利。相比之下，AP74502HQ的峰值栅极源电流更高，为11mA，与Diodes理想二极管控制器产品组合的早期产品类似。更强大的栅极驱动能力可实现外部MOSFET的更快开启，典型值仅需1µs。
AP74502Q和AP74502HQ采用行业标准的SOT28封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。
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