• 采购项目
  • 配套企业库
  • 销量查询
  • 盖世汽车社区
  • 盖世大学堂
  • 盖亚系统
  • 盖世汽车APP
  • 各国产业概览
  • 2025第八届智能辅助驾驶大会
  • 2025第四届中国车联网安全大会
  • 2025汽车智能玻璃创新技术及应用大会
当前位置:首页 > 新技术 > 正文

英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的超低RDS(on)CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

盖世汽车 刘丽婷 2025-05-06 09:54:05

盖世汽车讯 4月29日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G2技术,旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术可提供精细化的产品组合,在25℃时的典型导通电阻(RDS(on))高达60 mΩ,适用于各种应用,包括车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备(xEV),以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源(SMPS)等工业应用。

英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的超低RDS(on)CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

图片来源: 英飞凌



本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

登录后获取已开通的账号权益

本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

您未开通,请开通后阅读

*特别声明:本文为技术类文章,禁止转载或大篇幅摘录!违规转载,法律必究。

本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202505/6I70424509C409.shtml

文章标签: 前瞻技术
 
0

好文章,需要你的鼓励

微信扫一扫分享该文章