罗姆推出采用紧凑、高散热TOLL封装的650V GaN HEMT

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计、出色的散热性、高电流容量和卓越的开关性能，越来越多地被应用于需要高功率处理的应用，特别是在工业设备和汽车系统内部。对于此次发布，封装制造已外包给经验丰富的OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，外包半导体组装和测试）供应商ATX半导体（威海）有限公司（以下简称ATX）。

图片来源：罗姆

提高占世界电力消耗大部分的电机和电源的效率已成为实现脱碳社会的重大挑战。由于功率器件是提高效率的关键，因此采用SiC（碳化硅）和GaN等新材料有望进一步提高电源的效率。

罗姆于2023年4月开始量产其第一代650V GaN HEMT，随后发布了将栅极驱动器和650V GaN HEMT集成在一个封装中的功率级IC。这次，罗姆开发出将第二代元件集成在TOLL封装中的产品，并将其添加到现有的DFN8080封装中，以增强罗姆的650V GaN HEMT封装阵容——满足市场对更小、更高效的大功率应用的需求。

新产品将第二代GaN-on-Si芯片集成在TOLL封装中，在与导通电阻和输出电荷（RDS(ON) × Qoss）相关的设备指标方面实现了行业领先的值。这有助于进一步实现需要高耐压和高速开关的电源系统的小型化和能效。

为了实现量产，罗姆利用通过垂直整合生产系统培养的专有技术和设备设计专业知识来进行设计和规划。罗姆计划与ATX合作生产汽车级GaN设备。

图片来源：罗姆

为了应对汽车领域对GaN设备的日益普及（预计2026年将加速），罗姆计划通过加强这些合作关系以及推进开发工作来确保快速推出汽车GaN设备。

罗姆AP生产总部总经理Satoshi Fujitani表示：“我们很高兴能够成功生产出采用TOLL封装的650V GaN HEMT，并实现足够的性能。罗姆不仅提供独立的GaN设备，还提供将其与IC相结合的电源解决方案，充分利用罗姆在模拟技术方面的专业知识。这些产品设计中培养的知识和理念也应用于设备开发。与拥有先进技术能力的ATX等OSAT合作，使我们能够在快速增长的GaN市场中保持领先地位，同时利用罗姆的优势将创新设备推向市场。展望未来，我们将继续提高GaN设备的性能，以促进各种应用的小型化和效率，为丰富人们的生活做出贡献。”