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瑞萨电子推出性能卓越的新型MOSFET

盖世汽车 钟群 2025-01-14 08:50:00

盖世汽车讯 据外媒报道,先进半导体解决方案供应商瑞萨电子公司(Renesas Electronics Corporation)宣布推出全新100V大功率N沟道MOSFET,为电机控制、电池管理系统、电源管理和充电等应用提供行业领先的大电流开关性能,终端产品包括电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心和不间断电源(UPS)等。

瑞萨电子推出性能卓越的新型MOSFET

图片来源:Renesas Electronics Corporation

瑞萨电子开发出一种新的MOSFET晶圆制造工艺(REXFET-1),使新器件能够将导通电阻(MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻)大幅降低30%。较低的导通电阻有助于降低客户设计中的功率损耗。

REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低了10%,Qgd(在米勒平台(Miller Plateau)阶段需要注入栅极的电荷量)降低了40%。

除了卓越的电气特性外,瑞萨电子的新型RBA300N10EANS和RBA300V10EHPF MOSFET还采用行业标准的TOLL和TOLG封装,可与其他制造商的设备引脚兼容,比传统的TO-263封装小50%。TOLL封装还提供用于光学检测的可润湿侧翼。

瑞萨电子分立电源解决方案事业部副总裁Avi Kashyap表示:“瑞萨电子多年来一直是MOSFET市场的领导者。随着我们将自身的制造实力应用到整个市场,我们可以为客户提供卓越的技术产品,以及来自多个大批量工厂的供应保证。”

获奖组合

瑞萨电子已将新型MOSFET与其产品组合中的众多兼容器件相结合,提供了广泛的获奖组合,其中包括48V移动平台和三合一电动汽车装置:逆变器、车载充电器、直流/直流转换器。这些产品设计都是经过技术审核的系统架构,由相互兼容的设备组成,可无缝协作,并实现了优化的低风险设计,从而加快了产品上市时间。

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*特别声明:本文为技术类文章,禁止转载或大篇幅摘录!违规转载,法律必究。

本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202501/14I70416224C409.shtml

文章标签: 前瞻技术
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