巴斯夫开发高性能PPA 可用于下一代IGBT半导体外壳

盖世汽车讯 10月14日，巴斯夫（BASF）为下一代电力电子产品开发出一种特别适用于制造IGBT（绝缘栅双极晶体管）半导体外壳的聚邻苯二甲酰胺（PPA）——Ultramid®Advanced N3U41 G6，可满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源发电等领域对高性能、可靠电子元件日益增长的需求。电力电子技术公司赛米控丹佛斯（Semikron Danfoss）目前将巴斯夫PPA用作其Semitrans 10 IGBT的外壳材料，该IGBT可以安装在光伏和风能系统的逆变器中。Ultramid®Advanced N级材料具有出色的耐化学性和尺寸稳定性，可增强这些IGBT的鲁棒性、长期性能和可靠性，从而满足市场对节能、更高功率密度和更高效率日益增长的需求。IGBT能够有效地切换和控制电力电子产品中的电路。

图片来源：BASF

赛米控丹佛斯研究和预开发部门的Jörn Grossmann解释道：“IGBT是现代电子设备的关键元件，特别是在可再生能源领域。IGBT需要在更高的温度下运行，同时保持长期稳定性和性能。得益于巴斯夫PPA的独特性能，Semitrans 10在性能和效率方面树立了新的标杆。我们选择这种材料是因为它即使在恶劣环境中也具有非凡的电隔离性，并且在组装过程中对短期温度峰值具有出色的鲁棒性。”高性能材料和智能设计的结合可以实现更快的开关速度、更低的传导损耗和更好的热管理，从而满足电力电子产品的关键需求。

在当今的IGBT中，巴斯夫经过验证的Ultradur®（PBT：聚对苯二甲酸丁二醇酯）得到了广泛应用。新型PPA旨在满足快速发展的电力电子产品对下一代IGBT的严格要求。这些产品要求材料能够承受更高的温度，提供持续的电绝缘性能，并在潮湿、有尘和污垢等严峻的环境条件下保持尺寸稳定性。采用无卤阻燃剂的激光敏感型Ultramid®Advanced N3U41G6兼具高热稳定性、低吸水性和优异的电气性能。其特点是CTI（比较跟踪指数）高达600（符合IEC 60112标准）。与以往用于电源开关的材料相比，它具有更低的爬电距离和更好的绝缘性能，从而支持IGBT的小型化。该材料经UL认证，具有150°C的优异电气RTI（相对温度指数）值。

巴斯夫电力电子高级应用专家Jochen Seubert表示：“巴斯夫的PPA化合物已在全球范围内上市，并可提供样品。在我们以客户为中心的零件开发技术支持下，我们希望这种创新材料能够为电力电子技术的发展做出重大贡献，支持全球市场向可再生能源过渡。”在制造IGBT时，巴斯夫PPA可与用于在注塑成型后将半导体与金属引脚和夹具组装在一起的灌封材料兼容。