安森美推出碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET 加速碳化硅创新并助力电气化转型

盖世汽车讯 面对不断升级的气候危机和全球能源需求的急剧上升，各国政府和各行业正致力于实现雄心勃勃的气候目标，旨在减轻环境影响并确保可持续的未来。这些努力的关键是向电气化过渡，以减少碳排放并拥抱可再生能源。7月18日，为了加速这一全球转型，智能电源和智能感知技术公司安森美（onsemi）推出其最新一代碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET，这是迈向这一全球转型的重要一步。该公司还透露计划在2030年前推出多代产品。

图片来源：安森美

安森美电源解决方案集团总裁Simon Keeton表示：“电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果没有重大的电力创新，当今的基础设施就无法满足世界对更多智能和电气化出行的需求。这对于实现全球电气化和阻止气候变化的能力至关重要。我们正在引领创新步伐，计划到2030年大幅提高碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求并实现全球向电气化的过渡。”

EliteSiC M3e MOSFET将在以更低的每千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性方面发挥重要作用，从而影响电气化计划的采用和有效性。该平台能够在更高的开关频率和电压下运行，同时最大限度地减少功率转换损耗，对于电动汽车动力系统、直流快速充电器、太阳能逆变器和储能解决方案等各种汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET将推动向更高效、更高功率的数据中心的过渡，以满足为可持续人工智能引擎提供动力的指数级增长的能源需求。

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值得信赖的平台实现代际效率飞跃

凭借安森美独特的设计工程和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET在值得信赖且经过现场验证的平面架构上实现了传导和开关损耗的显著降低。与前几代产品相比，该平台可将传导损耗降低30%，关断损耗降低高达50%1。通过延长SiC平面MOSFET的使用寿命并利用EliteSiC M3e技术提供行业领先的性能，安森美可以确保平台的稳健性和稳定性，使其成为关键电气化应用的首选。

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EliteSiC M3e MOSFET还具有业界最低的导通电阻（RSP）和短路能力，这对于在SiC领域占据主导地位的牵引逆变器市场至关重要。其1200V M3e芯片采用安森美最先进的分立和电源模块封装，可提供比之前的EliteSiC技术大得多的相电流，从而在相同的牵引逆变器外壳中输出功率增加约20%。相反，现在可以用减少20%的SiC含量来设计固定功率水平，从而节省成本，同时实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

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此外，安森美还提供更广泛的智能电源技术组合，包括栅极驱动器、DC-D转换器和电子保险丝等，以与EliteSiC M3e平台配合使用。该端到端的半导体组合，包括优化的、共同设计的电源开关、驱动器和控制器，可通过集成实现高级功能，从而降低整体系统成本。