盖世汽车讯 据外媒报道，英飞凌科技股份公司宣布推出其最新先进功率MOSFET技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。
图片来源：英飞凌
这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的48 V板网应用，专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
与上一代产品相比，英飞凌IAUCN08S7N013的RDS（on）降低了50%以上，最高不超过1.3 mΩ，达到目前业内的领先水平。该产品以5 x 6 mm²封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。
此外，IAUCN08S7N013还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得AEC-Q101标准以上的认证。
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