• 采购项目
  • 配套企业库
  • 销量查询
  • 盖世汽车社区
  • 盖世大学堂
  • 盖亚系统
  • 盖世汽车APP
  • 斯凯孚SKF线上展示厅—2024北京车展
  • 问界M7核心零部件配套供应商一览
  • 2024中国汽车低碳与可持续发展论坛
  • 2024智能座舱车载声学大会
  • 2024第六届智能驾驶地图与定位大会
  • 2024第七届智能驾驶与人机共驾论坛
  • 2024第二届吉利汽车技术论坛暨前瞻技术展
当前位置:首页 > 国际 > 正文

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7

盖世汽车 刘丽婷 2024-04-16 10:41:04

盖世汽车讯 据外媒报道,英飞凌科技股份公司宣布推出其最新先进功率MOSFET技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7

图片来源:英飞凌

这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的48 V板网应用,专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造,包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制(例如电动助力转向系统(EPS))、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。

与上一代产品相比,英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超过1.3 mΩ,达到目前业内的领先水平。该产品以5 x 6 mm²封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。

此外,IAUCN08S7N013还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得AEC-Q101标准以上的认证。

*版权声明:本文为盖世汽车原创文章,如欲转载请遵守 转载说明 相关规定。违反转载说明者,盖世汽车将依法追究其法律责任!

本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202404/16I70389003C101.shtml

文章标签: 前瞻技术
 
0

好文章,需要你的鼓励

微信扫一扫分享该文章