• 采购项目
  • 配套企业库
  • 销量查询
  • 盖世汽车社区
  • 盖世大学堂
  • 盖亚系统
  • 盖世汽车APP
请登录
  • urope-Asia Automobile Innovation Forum
  • 2025第七届金辑奖评选
  • 各国产业概览
  • 2025第八届智能辅助驾驶大会
  • 2025汽车智能玻璃创新技术及应用大会
当前位置：首页 > 新技术 > 正文

英飞凌推出新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列 推进汽车和工业解决方案

盖世汽车 刘丽婷 2024-03-01 19:16:44

盖世汽车讯 2月27日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣布推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车电源应用中对更高效率和功率密度日益增长的需求。该产品系列包括工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱（totem-pole）PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑进行了优化。

英飞凌推出新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列 推进汽车和工业解决方案

图片来源：英飞凌



本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

登录后获取已开通的账号权益

本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

您未开通，请开通后阅读

*特别声明：本文为技术类文章，禁止转载或大篇幅摘录！违规转载，法律必究。

本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202403/1I70384292C409.shtml

文章标签： 前瞻技术
 ；
0

好文章，需要你的鼓励

24小时热文
更多企业>相关企业

增值电信业务经营许可证  沪B2-2007118    沪ICP备07023350号 沪公网安备 31011402009699号版权所有2011|未经授权禁止复制或建立镜像，否则将追究法律责任。