意法半导体推出新型STPOWER MDmesh DM9 AG系列 提升硅功率性能

盖世汽车讯 据外媒报道，通过利用车规级600V/650V超级结MOSFET，意法半导体（‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌STMicroelectronics，ST）宣布推出新型STPOWER MDmesh DM9 AG系列，为硬开关和软开关拓扑中的车载充电器（OBC）和DC/DC转换器应用提供卓越的效率和耐用性。

图片来源：意法半导体

这些硅基器件具有出色的单位芯片面积RDS（on）和最小的栅极电荷，将低能量损耗与出色的开关性能结合在一起，树立了新的基准品质因数。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9技术可确保更严格的栅源阈值电压（VGS（th））分布，从而实现更锐利的开关，从而降低开通和关断损耗。

此外，体二极管反向恢复得到了改进，利用新的优化工艺，也提高了MOSFET的整体耐用性。该二极管的低反向恢复电荷（Qrr）和快速恢复时间（trr）使MDmesh DM9 AG系列非常适合需要最高效率的相移零电压开关拓扑。

该系列提供一系列通孔和表面贴装封装，可帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种流行的通孔选项，可简化设计并利用经过验证的组装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2引线）和H2PAK-7（7引线）针对采用热基板或具有热通孔或其他增强功能的PCB进行底部冷却进行了优化。此外，该系列还提供HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部冷却表面贴装封装。

新型STPOWER MDmesh DM9 AG系列中的第一款器件是STH60N099DM9-2AG，采用H2PAK-2封装，并符合AEC-Q101标准的27A N沟道600V器件，典型（RDS（on））为76mΩ。ST将扩展该系列，提供全系列器件，涵盖广泛的额定电流范围和从23mΩ到150mΩ的RDS（on）。