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东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

盖世汽车 刘丽婷 2023-09-05 18:02:07

盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba，东芝）推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L（X）封装的碳化硅（SiC）MOSFET，即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款，其中5款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，并均已开始批量出货。

东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

图片来源：东芝



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文章标签： 前瞻技术
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