• 采购项目
  • 配套企业库
  • 销量查询
  • 盖世汽车社区
  • 盖世大学堂
  • 盖亚系统
  • 盖世汽车APP
  • 智能座舱SOC芯片产业报告(2025版)
  • 第十三届汽车与环境创新论坛暨第七届金辑奖中国汽车新供应链百强颁奖盛典
  • 零跑B10核心零部件配套供应商一览
  • 盖世汽车产业大数据
  • 2025第七届AI智能座舱大会
当前位置:首页 > 新技术 > 正文

东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

盖世汽车 刘丽婷 2023-09-05 18:02:07

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba,东芝)推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款,其中5款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,并均已开始批量出货。

东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

图片来源:东芝



本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

登录后获取已开通的账号权益

本文共计1000字开通高级账号后继续阅读

您未开通,请开通后阅读

*特别声明:本文为技术类文章,禁止转载或大篇幅摘录!违规转载,法律必究。

本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202309/5I70360214C409.shtml

文章标签: 前瞻技术
 
0

好文章,需要你的鼓励