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东芝发布采用新型高散热封装的汽车40V N沟道功率MOSFET

盖世汽车 刘丽婷 2023-02-01 18:16:15

盖世汽车讯 1月31日,东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)推出汽车40V N沟道功率MOSFET“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”,均采用新型L-TOGL™(大型晶体管外形鸥翼引线)封装,并具有低导通电阻的高漏极电流额定值。

东芝发布采用新型高散热封装的汽车40V N沟道功率MOSFET

图片来源:东芝

近年来,随着市场不断转向电动汽车,对满足汽车部件更高功耗部件的需求也不断增加。两款新产品采用东芝全新L-TOGL™封装,支持大电流、低电阻、高散热。产品没有内部柱结构,通过铜夹将源极连接部分和外部引线统一起来。源极引线的多引脚结构将封装电阻降低到现有TO-220SM(W)封装的30%左右,从而将XPQR3004PB的漏极电流(DC)额定值提高到400A,比当前产品高1.6倍。凭借厚铜框架,XPQR3004PB中的通道到外壳热阻抗降低到当前产品的50%。这些特性有助于实现更高电流和更低的汽车设备损耗。

凭借新的封装技术,新产品将简化散热设计,减少MOSFET数量(用于半导体继电器和需要大电流的集成启动发电机的逆变器等应用),并有助于减小设备尺寸。假设多个器件将并联连接,以用于需要更高电流运行的应用,东芝支持新产品的分组出货,其中栅极阈值电压用于分组。这允许使用特性变化较小的产品组进行设计。

由于汽车设备所处的环境温度不同,因此表面安装中焊点的可靠性是一个关键的考虑因素。新产品采用鸥翼式(gull-wing)引线,可降低安装应力,提高焊点的可靠性。

*版权声明:本文为盖世汽车原创文章,如欲转载请遵守 转载说明 相关规定。违反转载说明者,盖世汽车将依法追究其法律责任!

本文地址:https://auto.gasgoo.com/news/202302/1I70329446C101.shtml

文章标签: 前瞻技术
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