盖世汽车讯 据外媒报道，宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）和麻省理工学院（MIT）合作制造出一种新型半导体硒化锡（SnSe）。该半导体厚度仅为几个原子，并以不寻常的方式与光相互作用。与当前电子产品相比，这种新的半导体可降低计算和通信新技术所需的功耗。
图片来源：MIT
硒化锡是一种二元化合物，由锡和硒以1:1的比例组成。该新型半导体将有助于开发称为“光子学”的新型电子器件。传统电子学使用电子来存储、操控和传输信息，而该电子器件使用的是光粒子或光子。该材料与光具有特殊的相互作用，使其在电子产品中具有巨大的应用潜力。
*特别声明：本文为技术类文章，禁止转载或大篇幅摘录！违规转载，法律必究。
本文地址：https://auto.gasgoo.com/news/202207/19I70307978C409.shtml
好文章，需要你的鼓励
联系邮箱：info@gasgoo.com
求职应聘：021-39197800-8035
简历投递：zhaopin@gasgoo.com
客服微信：gasgoo12 (豆豆)
新闻热线：021-39586122
商务合作：021-39586681
市场合作：021-39197800-8032
研究院项目咨询：021-39197921
—— 全球视野·中国声音 ——
