图片来源： 上海电驱动
申请技术：氮化镓（GaN）电机控制器
申报领域：动力总成电气化
创新点及优势
技术描述：
本方案采用第三代宽禁带半导体器件氮化镓（GaN）代替传统IGBT做为电机控制器的功率单元。功率部分选用CCPAK顶部散热封装的GaN器件，并采用四颗并联的方案，其最高工作电压可以达到420VDC、最大输出功率为35kW。
独特优势：
1、GaN的开通和关断速度很快，是传统IGBT的10倍以上。得益于GaN器件极快的开关速度，其开关损耗相较于IGBT会小很多，约占总损耗的1/10左右。
2、与传统IGBT方案相比，在相同测试工况下GaN控制器效率提升非常明显，其中最高效率可达99.34%，特别是对于额定工况以下的效率提升会更明显，因此对于整车NEDC续航也会有较明显提高。
实测效率对比 （左）IGBT控制器效率MAP （右）GaN控制器效率MAP
3、本方案采用的是硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件，相较于SiC器件，其制造工艺相对简单，原材料和制造设备可以借用传统Si的产能，因此具有较好的成本优势，更有利于商业推广。
应用场景：
电动汽车动力总成单元、各类电源变换器
未来前景：
随着电动汽车电机控制器对于更高效率、更高功率密度的需求提升，宽禁带半导体器件的开发以及应用也成为了重点。其中GaN器件高频、高效的特点可以很好地满足实际应用的需求，相信在未来的电动汽车动力总成应用领域也能占有一席之地。
金辑奖介绍：
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