第4代SiC MOSFET | 罗姆确认申报2022金辑奖·中国汽车新供应链百强

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申请技术：第4代SiC MOSFET

申报领域：芯片

创新点及优势

技术描述：

罗姆的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

独特优势：

1.在不牺牲短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻

在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。

2. 通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易

在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。

应用场景：

主驱逆变器

未来前景：

有助于包括车载逆变器和各种开关电源在内的各种应用产品实现显著的小型化和更低功耗，比如在用于车载主驱逆变器时，与使用IGBT时相比，效率可以得到显着提升，主要体现在逆变器的高扭矩和低转速范围，从而可使电耗减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算）。

金辑奖介绍：

“金辑奖”由盖世发起，旨在“发现好公司·推广好技术”， 并围绕着“中国汽车新供应链百强”这个主题进行展开，重点聚焦自动驾驶、智能座舱、软件、芯片、动力总成电气化、热管理、车身及底盘技术、内外饰、环保轻量及新材料以及服务商十大细分板块，进行优秀企业及先进技术解决方案的评选，向行业内外展示这些优秀的企业和行业领军人物，共同推动行业的发展和进步。“2022第四届金辑奖·中国汽车新供应链百强”申报入口←点击报名（或扫描下方二维码）。