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罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗

盖世汽车 刘丽婷 2021-07-20 12:00:05

盖世汽车讯 7月19日,半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用,例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化汽车(xEV)中使用的DC/DC转换器。

罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗

(图片来源:罗姆)



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