安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案 用于电动汽车充电

盖世汽车讯 6月7日，推动节能创新的安森美半导体（ON Semiconductor）宣布推出一对1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其产品系列，从而适应充满挑战的电动汽车（EV）市场。

随着电动汽车销量持续增长，基础设施需要不断完善以满足驾驶员需求，如提供快速充电站网络，从而使汽车可以快速完成行程，且不会有“里程焦虑”。随着这种需求不断发展，对于充电功率超过350 kW，效率超过95%的要求也成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地点多样，设计人员面临着多种挑战，包括紧凑型、稳健性和增强的可靠性。

（图片来源：安森美半导体）

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造，适用的驱动电压为18-20 V，且易于使用栅极负电压进行驱动。与沟槽型MOSFET相比，较大的裸芯片可降低热阻，从而在相同工作温度下降低裸芯片温度。