盖世汽车讯 6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本半导体株式会社（日本半导体）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩散MOS （Laterally Double Diffused MOS，LDMOS）的可靠性和性能。其中，LDMOS是在电机控制驱动程序等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心组件。随着车辆电气化的不断发展，包括更广泛地部署高级驾驶辅助系统（ADAS），东芝和日本半导体将能够根据所需电压提供改进的LDMOS单元设计。
（图片来源：东芝）
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