研究人员开发出种新方法 可提高纳米电子元件的耐用性及推动半导体制造

盖世汽车讯 据外媒报道，南佛罗里达大学（University of South Florida，USF）的研究人员最近开发出一种新方法，通过使用六方氮化硼（hBN）涂覆铜金属导线，可缓解先进集成电路中广泛使用的纳米级电子导线的电迁移。其中，hBN是一种原子级薄的绝缘二维（2-D）材料，与“神奇材料”石墨烯具有相似的结构。

电迁移是电流通过导体引起材料原子级腐蚀，最终导致器件故障的现象。传统的半导体技术通过使用阻挡层或衬垫材料解决这一问题，但会占用晶圆上方空间，从而无法封装更多晶体管。USF机械工程助理教授Michael Cai Wang的方法可解决这一问题。