盖世汽车讯 3月5日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出下一代碳化硅(SiC)MOSFET 沟槽技术,开启电力系统和能源转换的新篇章。与上一代产品相比,新型英飞凌CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V第2代将MOSFET的关键性能指标(例如存储能量和电荷)提高了20%,且不影响质量和可靠性水平,从而提高了整体能源效率,并进一步推动脱碳进程。
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